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FloEFD——智能手表充电底座散热设计
发布日期:2026-08-01      浏览次数:3

   某可穿戴设备制造商在开发新一代智能手表磁吸充电底座时面临温升超标问题——在快充模式下底座表面温度达47.5℃,超过皮肤接触安全限值。工程团队应用FloEFDCAD环境中完成充电底座的流固耦合热仿真。FloEFD的直接CAD嵌入特性使工程师无需进行模型转换即可在原生设计环境中完成热分析。仿真揭示了PCB线圈区域因铜箔涡流损耗产生的局部热集中,以及底壳散热开孔位置与自然对流路径不匹配的问题。通过优化PCB铜箔厚度分布、调整散热孔布局、在底部增加导热垫与金属中框的热耦合路径,优化后方案将底座表面最高温度降至42.3℃,满足IEC 62368-1安全标准,且设计迭代周期从物理测试的3周缩短至3天。

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